Praga, 20 de marzo de 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnoloxía de memoria avanzada, presenta o almacenamento NAND de 128 GB de 3 bits de alto rendemento para dispositivos móbiles, baseado na tecnoloxía MultiMedia incorporada.Card (eMMC) 5.0. Os buques insignia entre os teléfonos intelixentes xa están cambiando ao almacenamento de memoria de 128 GB baseado nos estándares Universal Flash Storage (UFS) 2.0 ou EMMC 5.1. Do mesmo xeito, incluso os teléfonos intelixentes de gama media agora poderán aumentar a súa capacidade 128 GB grazas ao novo repositorio Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Este chip de memoria ten a maior capacidade dentro do estándar eMMC 5.0.
"Co lanzamento da nosa serie eMMC 3 de 5.0 bits baseada en NAND, esperamos liderar o camiño na expansión do almacenamento móbil de alta capacidade. Seguimos desenvolvendo a nosa oferta de memoria móbil cun rendemento mellorado e maior capacidade para satisfacer a crecente demanda dos clientes no sector da telefonía móbil". dixo o Dr. Jung-Bae Lee, vicepresidente senior do equipo de Enxeñaría de Aplicacións e Planificación de Produtos de Memoria de Samsung Electronics.
Lectura secuencial os datos do novo almacenamento eMMC 128 de 5.0 GB de Samsung corren a gran velocidade 260 MB / s. Este é o mesmo rendemento que a memoria MLC eMMC 5.1 baseada en NAND. Rendemento de lectura e escritura aleatorias je 6000 IOPS, respectivamente 5000 IOPS, que é o suficientemente rápido como para admitir vídeos de alta definición e funcións multitarefa avanzadas. En comparación coas tarxetas de memoria externas, estas velocidades de lectura e escritura son aprox 4 veces a 10 veces maior.
A nova serie eMMC 3 de 5.0 bits amplía o negocio de Samsung dende a subministración de SSD para centros de datos, servidores e ordenadores a todo o mercado de almacenamento móbil. Samsung continuará introducindo memorias Flash NAND de 3 bits mediante o desenvolvemento de solucións de alto rendemento e alta capacidade, así como seguirá reforzando a competitividade do seu negocio de tecnoloxía de memoria.
//
//
