Galaxy O S8 debería estar alimentado por dous procesadores diferentes, un movemento que Samsung fixo con case todos os teléfonos intelixentes de gama alta. Os chips deberían ofrecer un rendemento realmente forte, o que está demostrado por algunhas fotos filtradas. Ademais, Galaxy O S8 contará cunha tecnoloxía especial Beast Mode, grazas á cal o usuario terá unha potencia máis que suficiente. Agora un novo informe revela as capacidades máximas dun destes procesadores móbiles.
Qualcomm Snapdragon 835 será o corazón do novo Galaxy O S8, que será enviado a toda Europa. O segundo modelo ofrecerá procesadores Exynos, pero só nos EUA. Non obstante, o primeiro nomeado só se lanzará ao mercado esta semana, con motivo do CES 2017. Non obstante, chegaron á web algúns datos da presentación que revelan as funcións do chip.
O Snapdragon 835 SoC (System-on-Chip) construirase con tecnoloxía de produción de 10 nm. Grazas a isto, ofrecerá ata un 27 por cento máis de rendemento que os actuais 820. O chip é, por suposto, moi eficiente enerxéticamente e ten dimensións moito máis pequenas. O procesador ten oito núcleos, incluíndo a potencia dun clúster de catro núcleos, que ofrecerá aos usuarios un aumento do rendemento do 20 por cento se é necesario.
O propio SoC usará o Kryo 280 CP, a GPU Adreno 640 apoiará 60 veces máis cores e ofrecerá un renderizado un 25 por cento máis rápido. Así, os xogadores de xogos móbiles terán un poder máis que suficiente. Outras vantaxes inclúen, por exemplo, a compatibilidade para a reprodución de vídeo de 10 bits 4K a 60 fps, así como a compatibilidade con OpenGL ES, Vulkan e DirectX 12.
O Snapdragon 835 ofrecerá tecnoloxía de carga rápida, que carga a batería un 20 por cento máis rápido que antes: obtén o 15 por cento da batería en 50 minutos. O chip tamén será o primeiro procesador móbil que terá un módem LTE xigabit integrado.
Fonte: BGR
